真空磁控濺射鍍膜機原理常用指南

磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。只是在化學活性強的金屬、難容金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現有反應濺射技術方案進行了改進，開發出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒現象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13。（2）陽極消失：靶zhong毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。

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磁控濺射鍍膜技術

磁控濺射鍍膜技術由于其顯著的優點已經成為制備薄膜的主要技術之一。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。非平衡磁控濺射改善了等離子體區域的分布，顯著提高了薄膜的質量。中頻濺射鍍膜技術的發展有效克服了反應濺射過程中出現的打弧現象，減少了薄膜的結構缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。磁控濺射鍍膜儀廠家帶你了解更多！

磁控濺射鍍膜是現代工業中不可缺少的技術之一，磁控濺射鍍膜技術正廣泛應用于透明導電膜、光學膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜。

磁控濺射技術發展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數的控制，使膜層質量和屬性滿足各行業的要求。

對于濺射鍍膜來說，可以從真空系統，電磁場，氣體分布，熱系統等幾個方面進行沒計，機械制造和控制貫穿整個工程設計過程。

濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用，并伴隨靶材原子及原子團簇的產生的過程。

薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數、表面狀態和電磁場等有著密切關系。

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