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晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱(chēng)晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過(guò)大，難調(diào)整到標(biāo)稱(chēng)頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN晶體如需減小驅(qū)動(dòng)功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會(huì)減小，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過(guò) Re 的 5 倍；KOAN圓柱晶體（kHz&MHz）修改彎曲引腳注意事項(xiàng)在修改彎曲引腳時(shí)，應(yīng)該避免強(qiáng)制拔出。減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會(huì)增加，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率將會(huì)減小。而負(fù)載電容減小，實(shí)際振蕩頻率將會(huì)增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會(huì)對(duì)晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱(chēng)頻率范圍內(nèi)，稱(chēng)為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率。或者使用裝有單個(gè) C-MOS 的逆變器 (也稱(chēng)為“非緩沖型”逆變器)。如果將KOAN晶振進(jìn)行密封包裝（例如放入密封的塑料袋或者密封的器皿內(nèi)），則保存時(shí)間應(yīng)該在12個(gè)月或者以上，依然保證晶體有良好的可焊性。

KOAN 圓柱晶體 （kHz & MHz ）修改彎曲引腳注意事項(xiàng)

在修改彎曲引腳時(shí)，應(yīng)該避免強(qiáng)制拔出。否則會(huì)引起 4.玻璃珠的裂掉，因而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度下降，從而影響產(chǎn)品的特性。正確做法是：壓住外殼基測(cè)的引腳，從上下方壓住彎曲的部位進(jìn)行修改。在彎曲引腳時(shí)，引腳要留下距離外殼 0.5mm 的直線(xiàn)部位。如果不留出，將會(huì)導(dǎo)致玻璃珠的裂掉。其與外圍電路匹配振蕩輸出信號(hào)，而較好的電容匹配和理想負(fù)電阻決定著信號(hào)波形質(zhì)量，因此需要對(duì)晶體及外圍回路的關(guān)鍵電性能參數(shù)深入了解，才能實(shí)現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)匹配。在引腳焊接完畢之后再將引腳彎曲時(shí)，需要留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分