肖特基二極管原理價格合理「強元芯電子」

?MBR60200PT肖特基二極管ASEMI

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ASEMI肖特基二極管MBR60200PT屬于大功率產(chǎn)品要用大電流的肖特基二極管來起整流的作用，這也是現(xiàn)在越來越多的工程師設計選擇思路具有正向整流輸出大電流.

MBR60200PT肖特基二極管     ASEMI導讀:

型號：MBR60200PT                 品牌：ASEMI

封裝：TO-247/3P                  特性：肖特基二極管

★電性參數(shù)：60A，200V            ★芯片材質(zhì)：SI

★正向電流(Io)：60A              ★芯片個數(shù)：2

★正向電壓(VF)：0.89V            ★芯片尺寸：150MIL

★浪涌電流Ifsm：200A             ★是否進口：否

★漏電流(Ir)：10UA               ★工作溫度：-50~125

★恢復時間(Trr)：<5nS            ★引線數(shù)量：3

?ASEMI低壓降肖特基15V45

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ASEMI半導體15V45是一款采用277封裝的低壓降肖特基產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的設計優(yōu)勢對于體積大幅壓縮，有效縮小應用產(chǎn)品的體積空間。ASEMI半導體15V45壓降控制在0.38V的壓降是應用在高頻率快速充電器產(chǎn)品的較好選擇。目前市面上已經(jīng)有華為、小米等公司的充電器產(chǎn)品采用此款封裝的低壓降肖特基二極管成功應用案例。高超的品質(zhì)工藝與電性表現(xiàn)使得ASEMI半導體15V45低壓降二極管銷量行業(yè)持續(xù)高增。

ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT

ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT是一種低功耗、高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，具有反向恢復時間短，速度快，有效防止浪涌，減少開通瞬間的功耗等功能。其封裝為：TO-220；電性參數(shù)正向電流為30A，反向耐壓為100V；正向峰值浪涌電流為200A，反向恢復時間：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.