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發(fā)布時間:2021-01-06 21:38  
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采用這種結(jié)構(gòu)的SBD,擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴散深度,使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙,達到150V和200V。在正向偏置時,高壓SBD的PN結(jié)的導通門限電壓為0.6V,而肖特基勢壘的結(jié)電壓僅約0.3V,故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。
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