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質譜儀的目的：

在不同的環境條件下，同位素的組成有一定的差異。舉例來說，不同來源的含氮物質可以含有不同的氮同位素成分。因此，氮同位素作為污染物的指示劑，很好，到目前為止，化肥很普遍地被用于 shi土壤中的氮肥和其他含氮有機物質，隨水土流失而流入江河和湖海，因此水域環境污染程度可以用δ15 N值來衡量。

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等離子體質譜儀具備下列獨特的技術和功能：

特殊設計的進樣系統，配有全基體進樣系統，高固溶量樣品可直接進樣，同時保證了信號的長期穩定。

三重四極桿結構。通氣池的獨特功能，利用一路氣體同時實現碰撞模式和反應模式，能有效消除干擾，切換時間極短，有效提高您的探測效率。

智能電子稀釋功能，可同時進行高、低含量元素的一次進樣分析。

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對質譜儀的分類一般是根據質量分析器來劃分的，例如，通常我們稱之為飛行時間質譜或四級桿式質譜等等，但是同一臺質譜儀可以配有多種離子源，例如，GC-MS通常配有電子轟擊電離源(EI)和化學電離源(CI)，本文詳述一下質譜的離子源。

試樣在離子源中電離形成離子，比較常用的離子源有電子轟擊電離源(EI)和化學電離源(CI)，與 LC串聯質譜分析，常用的離子源是電噴霧離子化(ESI)、大氣壓化學電離(APCI)、大氣壓光電離(APPI)和基質輔助光解吸離子化(MALDI)。

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電子轟擊電離（Electron Ionization，EI）

EI源是呈氣態的試樣分子在較高真空和較高溫度的電離室內，熱陰極發射的電子經加速后與試樣分子作用，氣態的分子失去一個電子而生成帶有正電荷的自由基，即分子離子，當分子離子具有的剩余能量大于其某些化學鍵的鍵能時，分子離子便發生碎裂，生成碎片離子。EI源是目前發展較成熟的離子源，也有相應的譜庫如NIST譜庫可以查詢。

自1960年代以來，人們已經向半導體材料中注入了一定數量的硼、磷或其它元素，以形成摻雜。利用離子能量對摻雜深度進行控制，利用離子流積分強度對摻雜濃度進行控制。離子法的重復性、可靠性優于擴散法。在半導體大規模集成電路的生產中，離子注入技術已經成為一個重要環節，一些器件采用離子注入技術來替代過去的擴散等技術已經成為一種必然趨勢。

在金屬材料的離子注入改性方面取得了令人矚目的成果。離子注入法改性常用金屬可提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗1疲勞強度，降低金屬的磨損率。一些絕緣材料，如陶器、玻璃和有機材料，在被離子束照射后，會發生重要的性質變化，從而得到新的用途。

離子束照射和摻雜的過程是非熱平衡過程，因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50~400keV)的專門用于離子注入的小型加速1器"離子注入機"，已成為一種專門設備，體積相當于一臺電子顯微鏡或高壓示波器，使用維護都很方便。在類金剛石材料、高溫超導材料、磁性材料、感光材料等的研究中，已廣泛應用離子束，一門新興的冶金學──"離子注入冶金學"正在形成。② 離子束分析