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條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產生的無意留下的掩膜。大約3分鐘后，咱們可在出料口拿到試刻的不銹鋼板，用手試摸一下蝕刻的深淺程度,若是手指上感到有點凹凸的覺得，這時的深度在大概在0。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時光刻膠產生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結構橫截面深度和寬度的比率。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學系統把相鄰的目標形成分離圖像的能力。不銹鋼標牌產品適用于家具、家電、皮具、刀具、機械設備、廚柜、潔具、服裝、酒店、門閘、汽車行業等企業單位。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關聯尺寸。

化學蝕刻（Chemical etching）-- 氣態物質（中性原子團）與表面反應， 產物必定易揮發，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發產物，具有一定 能量的離子改變襯底或產物；在技術分為機械、化學和電化學方法等[1～4]，其中化學蝕刻具有工藝簡單、操作方便、精度高和生產成本低等優點，適合于批量生產，蝕刻深度為20～200μm。具有一定能量的離子改變襯底或產物層，這樣，化學反應以后 能生成揮發性物質，亦稱為反應離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。