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              發布時間:2021-09-22 15:45  

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                   IGBT模塊在使用時的損壞原因  IGBT在使用過程中經常受到容性或感性負載的沖擊,承受過負荷甚至負載短路等,可能導致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有:

                  過電流損壞——鎖定效應

               IGBT為復合器件,其內有一個寄生晶閘管,在規定的漏極電流范圍內,NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導通,當漏極電流大到一定程度時,這個正偏壓足以使NPN晶體管開通,進而使NPN或PNP晶體管處于飽和狀態,于是寄生晶閘管開通,柵極失去了控制作用,便發生了鎖定效應。廣州欣貝一直秉承著高質量服務,高技術創新,高速度發展的經營理念。IGBT發生鎖定效應后,集電極電流過大,造成了過高的功耗而導致器件損壞。