荊門肖特基二極管的作用誠信企業「多圖」

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ASEMI新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯電阻過大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

關于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號識別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號前面四個字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩定，可信賴度佳。

要想了解MUR2060CT與MUR2060CTR有何不同，首先要從二極管的原理定義開始說起。

二極管與快恢復二極管內部結構原理

二極管作為最常用的整流元器件，其內部結構原理基礎就是只允許單方向電流通過并且進行整流，將交流電變為直流電。而在快恢復二極管MUR2060CT和MUR2060CTR封裝內部含有二個二極管，其橋式整流結構也是由這兩個二極管組成的。