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ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT

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ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封裝，SB10100LFCT采用進(jìn)口俄羅斯米克朗56mil雙芯片,高抗沖擊性能與一致性能提升40%以上。保證其參數(shù)可以達(dá)到:10A為正向整流，100V為反向耐電壓，150A峰值浪涌電流，0.54v正向壓降以及20UA漏電流。這款封裝很大優(yōu)勢(shì)在于絕緣性與阻燃性表現(xiàn)非常好。采用了環(huán)氧樹脂封裝材料，封裝強(qiáng)度高保障內(nèi)部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏電。

SB30100LCT低壓降肖特基二極管，臺(tái)灣ASEMI品牌

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SB30100LCT低壓降肖特基二極管，臺(tái)灣ASEMI品牌，它的封裝是TO-220，電性參數(shù)：30A，100V，芯片材質(zhì)：SI，正向電流：30A，芯片個(gè)數(shù)：2，正向電：0.66V，芯片尺寸94MIL，浪涌電流Ifsm：200A；漏電流小于等于10UA，工作溫度問-40~170℃，恢復(fù)時(shí)間(Trr)：<5nS，引線數(shù)量：3。ASEMI品牌SB30100LCT在電子市場(chǎng)研發(fā)趨勢(shì)凸顯,主要原因是芯片采用俄羅斯進(jìn)口Mikron芯片，保障了產(chǎn)品的品質(zhì)！

ASEMI肖特基二極管MBR40100DC

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ASEMI肖特基二極管MBR40100DC 電性參數(shù):40A; 45V~200V,鐳射激光打標(biāo)，不褪色，黑膠材質(zhì)：環(huán)氧塑脂材料 包封穩(wěn)定性好，引腳為無氧銅、抗彎曲、導(dǎo)電性好，其包裝方式5.0K/箱 箱體材質(zhì)：牛皮紙 耐壓耐磨抗沖擊。1K/盒,50PCS/管，環(huán)保防靜電PE料管 牛皮環(huán)保紙盒 防靜電、易保存，可回收利用。

ASEMI肖特基二極管有著極快的反向恢復(fù)時(shí)間，所以它在高頻領(lǐng)域，如開關(guān)電源，充電器，電源適配器有著十分廣泛的應(yīng)用，比如手機(jī)充電器，它當(dāng)中用普通的二極管，其充電時(shí)間需要12小時(shí)以上，而換在肖特基二極管以后，它的充電時(shí)間可以壓縮至2-3小時(shí)，很好的節(jié)省了時(shí)間，提高了效率。

ASEMI肖特基MBR60200PT

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ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀，本節(jié)我們以它為列，通過講解其各項(xiàng)參數(shù)，會(huì)讓你對(duì)整個(gè)肖特基產(chǎn)品系列有一個(gè)更深入的了解，為了更直觀方便的說明，我們以MBR60200PT的規(guī)格書為模板進(jìn)行解說：

下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁面文檔，我們會(huì)自上而下逐條講解每個(gè)參數(shù)所代表的意義及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓

Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻（每條腿)

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率（額定VR）

Operating Junction Temperature—— 工作溫度

Storage Temperature ——儲(chǔ)存溫度