RR5光刻膠廠家推薦「賽米萊德」

光刻膠的相關信息

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W結構，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。光交聯型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

光刻膠工藝

主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。

在目前比較主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前，ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上，媲美一架F35 戰斗機。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。

正性光刻膠的結構

光學光刻膠通常包含以下三種成分：(1)聚合物材料(也稱為樹脂)。聚合物材料在光的輻照下不發生化學反應，其主要作用是保證光刻膠薄膜的附著性和抗腐蝕性，同時也決定著光刻膠薄膜的其他一些特性(如光刻膠的膜厚要求、彈性要求和熱穩定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般為復合性物質(簡稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之后會發生化學反應。正膠的感光劑在未曝光區域起抑制溶解的作用，可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例，使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡稱為DQ)感光劑和酚樹脂構成。(3)溶劑(如丙二醇-，PGME)。溶劑的作用是使光刻膠在涂覆到硅片表面之前保持為液態

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光刻膠的成分

樹脂:光刻樹脂是一種惰性的聚合物基質 ,是用來將其他材料聚合在一-起的粘合劑。 光刻膠的粘附性、膠膜厚度等都是樹脂給的。

感光劑:感光劑是光刻膠的核心部分，他對光形式的輻射能,特別在紫外區會發生反應。曝光時間、光源所發射光線的強，度都根據感光劑的特性選擇決定的。

溶劑:光刻膠中容量較大的成分，感光劑和添加劑都是固體物質，為了方便均勻的涂覆,要將他們加入溶劑進行溶解,形成液態物質，并且使之具有良好的流動性，可以通過選擇方式涂布在waf er表面。

添加劑:用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發生反射而添加染色劑。