ZnO晶體單晶襯底基片-定制尺寸「多圖」

氧化鋅（ZnO）的帶邊發(fā)射在紫外區(qū)，非常適宜作為白光LED的激發(fā)光源材料，凸顯了氧化鋅（ZnO）在半導(dǎo)體照明工程中的重要地位，并且與SiC、GaN等其它的寬帶隙材料相比，氧化鋅（ZnO）具有資源豐富、價(jià)格低廉、高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，更好的抗輻照損傷能力，適合做長壽命器件等多方面的優(yōu)勢。此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶體生長zui理想的襯底材料。

氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動(dòng)通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)可由逐漸在表面生成氧化鋅的方式獲得。在兩種晶體中,每個(gè)鋅或氧原子都與相鄰原子組成以其為中心的正四面體結(jié)構(gòu)。八面體結(jié)構(gòu)則只曾在100億帕斯卡的高壓條件下被觀察到。氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外，與其它半導(dǎo)體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子結(jié)合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。

氧化鋅晶體生長研究進(jìn)展??

當(dāng)前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法、水熱法、氣象沉積法、坩鍋下降法等等。

助熔劑法.助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體,通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑,使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。采用這種方法制備氧化鎂的是美國的Nielsen等[12]人,得到(0001)取向的透明略微帶淺黃色的呈平板狀晶體(25mm!1mm)。1967年,美國的A.B.Chase和JudithA.Osmer用同樣的助熔劑應(yīng)用區(qū)域冷卻法(LocalizedColling)在不同的溫度梯度下,以不同的降溫速率,利用氧化鎂的自發(fā)成核制成了5mm!5mm!3mm的晶體。