您好,歡迎來到易龍商務網!
發布時間:2020-12-13 07:17  
【廣告】





光刻膠定義
以下是賽米萊德為您一起分享的內容,賽米萊德專業生產光刻膠,歡迎新老客戶蒞臨。
光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist,又翻譯為抗蝕劑、光阻等。因為光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法,因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。當紫外光或電子束的照射時,光刻膠材料本身的特性會發生改變,經過顯影液顯影后,曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面,這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上,而后續的刻蝕、沉積等工藝,就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上,后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負膠的曝光部分被保留。
光刻膠一般由4部分組成:樹脂型聚合物(resin/polymer),溶劑(solvent),光活性物質(photoactive compound,PAC),添加劑(Additive)。 其中,樹脂型聚合物是光刻膠的主體,它使光刻膠具有耐刻蝕性能;溶劑使光刻膠處于液體狀態,便于涂覆;光活性物質是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光,并發生相應的化學反應;添加劑是用以改變光刻膠的某些特性,如控制膠的光吸收率/溶解度等。
光刻膠的參數介紹
1.對比度(Contrast)
對比度指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。 對比度越好,越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。
2.粘滯性/黏度 (Viscosity)
衡量光刻膠流動特性的參數。黏度通??梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。
3.抗蝕性(Anti-etching)
光刻膠必須保持它的粘附性,在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
想要了解更多光刻膠的相關內容,請及時關注賽米萊德網站。
光刻膠分類
根據化學反應機理和顯影原理的不同,光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶,但經曝光后形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑不可溶,經曝光后變成可溶的為正性膠。
從需求端來看,光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中,半導體光刻膠的技術壁壘較高。
想要了解更多賽米萊德的相關信息,歡迎撥打圖片上的熱線電話!
光刻膠介紹
以下內容由賽米萊德為您提供,今天我們來分享光刻膠的相關內容,希望對同行業的朋友有所幫助!
光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一,是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,其溶解度發生變化,經適當溶劑處理,溶去可溶性部分,然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術門檻極高的電子化學品一直被國際企業壟斷。 隨著大力研發和投入, 國內企業已逐步從低端 PCB 光刻膠發展至中端半導體光刻膠的量產。