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發布時間：2021-01-22 23:45
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主電路的拓撲結構
鑒于如此大功率的輸出,高頻逆變部分采用以IGBT為功率開關器件的全橋拓撲結構,整個主電路如圖1所示,包括:工頻三相交流電輸入、二極管整流橋、EMI濾波器、濾波電感電容、高頻全橋逆變器、高頻變壓器、輸出整流環節、輸出LC濾波器等。
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高頻開關電源與可控硅整流器哪個更節能？
要想知道究竟哪個更節能，主要要從兩者的能耗和損耗倆個方面進行比較。
眾所周知，若可控硅整流器與高頻開關電源在相同的輸入條件下，兩電源的輸出功率與兩電源的功率因數與效率有關。
可控硅整流器的功率因數cosф1與可控硅的開放角有關，一般情況下，cosф1為0.70~0.80之間，由于可控硅整流器對電網來講屬于感性負載，因此cosф1值為負。
所謂銅損即是電流流經變壓器線包的損耗。可控硅利用改變可控硅管導通角來調整輸出平均直流大小的普通可控硅整流器，可控硅管輸出的是間斷脈沖波，其紋波系數的受導通角控制，輸出紋波系數大于普通硅整流電路。所謂鐵損即是渦流在變壓器鐵芯中的損耗。
可控硅整流器是以龐大、笨重的工頻變壓器為基礎，因此銅損、鐵損都很大，而高頻開關電源中的高頻變壓器的用銅量只是同規格可控硅整流變壓器的30%，因此銅損很少，又因高頻變壓器在高達10KHz~50KHz的高頻下工作，因此，不采用矽鋼片而是采用軟鐵體磁芯，在磁芯中幾乎沒有渦流損耗。PI給定調節電路PI給定調節電路由PLC和D/A模塊、PI調節器、反饋信號取樣及隔離電路等組成。
從上述分析我們可以清晰地看到在節能方面高頻開關電源明顯優于可控硅整流器，一般節能20%~30%
