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在制作鋁蝕刻標牌中,表面拋光怎樣才不傷到底色

1）蝕刻深度不能太淺；

2）填的漆料不能太稠，不能失去流動性。太稠的油漆容易高出牌面，更容易被拋光傷及。

3）填漆后再拋光，要用烤漆，如氨基烘漆（烘烤115－125度），也可用加固化劑的漆。普通硝基漆易拋掉。

4）填漆后要有足夠的干燥固化時間。

5）拋光時用力要均勻，盡量不要橫向豎向亂拋。

6）還有一個非常有效的方法就是預先拋光。一次拋得就比較亮了，在網印、腐蝕、清洗、填漆過程再稍加注意不要劃傷版面，那么后一次拋光就容易得多。一些精檔的金屬填漆標牌都要拋兩遍光。

標牌電蝕刻問題

1.不銹鋼(300系列)在中會鈍化,不會腐蝕.面鹽酸和會造成不銹鋼的腐蝕,優以HF為重.

2.蝕刻不銹鋼用NaCl()水溶液就可以,黃銅可以考慮用NaCl和NaNo3(鈉)混合溶液.

3.蝕刻鋁牌與其它金屬一樣,不存在的電蝕比化學蝕刻快,電蝕對小面積細線條的圖案,按每次一塊與化學蝕刻相絲,要快5-10倍(看蝕刻液配方及蝕刻頭形狀,陰陽極間距,蝕刻溫度,電源波形),但化學蝕刻一次蝕刻的面積可能要較電刻大幾十或數百倍(如用PCB機),所以這種說法不準確!每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個很好的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內噴射壓力在30磅/平方英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。

光刻和蝕刻技術，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設計 圖案通過曝光成像的原理轉移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ?其中條件設計由如下程序進行：流程圖－布點定位－規格－內容－色彩。 光刻的質量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區和非圖形區產生不同的光吸收和 透過能力。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進入通道網絡，所以通過微加工技術所制得的具有不同結構和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ?氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的,有一些用戶采用將純氨通入蝕刻儲液槽的做法,但這樣做必須加一套PH計控制系統,當自動監測的PH結果低于默認值時﹐便會自動進行溶液添加。 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機物和金屬物等清除干凈，包括 化學清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進行 對玻璃和石英材質刻蝕的微結構一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質的 蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。