江蘇CMOS輸出溫度補(bǔ)償晶振價(jià)格擇優(yōu)推薦「晶宇興」

溫補(bǔ)振蕩器的作用

用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒p少頻率失真，因?yàn)檎袷幤鞴ぷ鲿r(shí)由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻)就會(huì)有溫升，溫度升高對(duì)半導(dǎo)體影響很大，會(huì)使半導(dǎo)體的工作點(diǎn)發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對(duì)使用者來(lái)說(shuō)影響很大如無(wú)線電通訊、本地時(shí)鐘(單片機(jī)或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補(bǔ)償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)。

晶體振蕩器頻率控制方法

振蕩器可通過(guò)直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來(lái)改變諧振電路電容，而直接牽引頻率的DCXO通過(guò)可編程開關(guān)切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲，但牽引范圍被限制在約±200ppm。當(dāng)系統(tǒng)應(yīng)用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時(shí)，用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構(gòu)，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁└哌_(dá)±1600ppm的牽引范圍。

溫補(bǔ)振蕩器的溫度范圍

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,其包括:底座;設(shè)置于底座上的焊盤;設(shè)置于底座上的溫補(bǔ)芯片,溫補(bǔ)芯片的引腳與焊盤電連接;設(shè)置于底座上的石英振子;及焊接于底座的頂部的金屬蓋板,用于封蓋溫補(bǔ)芯片和石英振子.本發(fā)明中溫補(bǔ)晶體振蕩器解決了傳統(tǒng)溫補(bǔ)晶振中無(wú)法滿足在55℃～ 85℃寬溫度范圍頻率穩(wěn)定度≤±1ppm的問(wèn)題,通過(guò)優(yōu)化產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和調(diào)試方法,實(shí)現(xiàn)晶體振蕩器在55℃～ 85℃寬溫度范圍頻率穩(wěn)定度≤±1ppm的指標(biāo),通過(guò)小型化和集成化的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的SMD5032外形尺寸.

溫補(bǔ)振蕩器廣泛應(yīng)用

現(xiàn)代電子,通信設(shè)備對(duì)時(shí)鐘源的準(zhǔn)確度有著越來(lái)越高的要求.在獲得時(shí)鐘源的各種方法中,晶體振蕩器有著優(yōu)良的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性而獲得廣泛應(yīng)用.但是晶體振蕩器的振蕩頻率還是會(huì)受到一些因素的影響(如電磁干擾,機(jī)械震動(dòng),濕度和溫度等),特別是溫度對(duì)振蕩器的振蕩頻率影響很大.為了獲得準(zhǔn)確的頻率源,就要在一定溫度范圍對(duì)振蕩器電路進(jìn)行補(bǔ)償. 本文對(duì)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器電路進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì).主要包括可調(diào)頻率振蕩器,帶隙測(cè)溫電路,模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(AD),以及低壓線性轉(zhuǎn)換器(LDO).