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發布時間：2020-11-08 12:00
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光刻膠的應用
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模擬半導體（Analog Semiconductors）發光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）微機電系統（Microelectromechanical Systems MEMS）太陽能光伏（Solar Photovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封裝（Packaging）
光刻膠的生產步驟
1、準備基質：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進行處理，需要經過脫水烘培蒸發掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二乙胺。
2、涂布光阻劑（photo resist）：將硅片放在一個平整的金屬托盤上，托盤內有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。
3、軟烘干：也稱前烘。在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來，從而降低了灰塵的玷污。
4、曝光：曝光過程中，光刻膠中的感光劑發生光化學反應，從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發生光化學反應，變為乙烯酮，進一步水解為茚并羧酸，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
5、顯影（development） ：經顯影，正膠的感光區、負膠的非感光區溶解于顯影液中，曝光后在光刻膠層中的潛在圖形，顯影后便顯現出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以保證高質量的顯影效果。
6、硬烘干：也稱堅膜。顯影后，硅片還要經過一個高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對硅片表面的附著力，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。
7、刻（腐）蝕或離子注入
8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。
何為光刻膠
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，由光引發劑、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。
它被稱為是電子化工材料中技術壁壘較高的材料之一，主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用。
按照下游應用，光刻膠可分為半導體用光刻膠、LCD用光刻膠、PCB（印刷線路板）用光刻膠等，其技術壁壘依次降低。
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光刻膠介紹
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光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發生變化，經適當溶劑處理，溶去可溶性部分，然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術門檻極高的電子化學品一直被國際企業壟斷。 隨著大力研發和投入， 國內企業已逐步從低端 PCB 光刻膠發展至中端半導體光刻膠的量產。
