便攜式IGBT測試儀加工可量尺定做 華科靜態參數IGBT

半導體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產品的質量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導致燒毀，甚至在使用中會發生。所以對新產品及使用中的元件參數的篩選及檢查更為重要。西門子PLC邏輯控制15）數據采集與處理單元用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：。 半導體元件的每一個參數，依其極性的不同，都須要一個獨特的測量電路，我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數的定義，形成千變萬化的電路，再依元件的出廠規格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內將所須要的數據量測出來，且有些參數從量測的數據經快速運算即可得知其特性是否在規定范圍內。

IGBT動態參數測試系統技術要求

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。

2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他必要的技術文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；（正本、副本）技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。1V 3）集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0。

3.3主要技術要求

3.3.1 動態參數測試單元技術要求

3.3.1.1 環境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產品生產嚴格按照ISO9001∶2008標準質量管理體系運行，其品質、技術及工藝方面保持國內，部分產品達到國外同類產品的先進水平。01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。 產品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發等行業，部分產品出口到歐美等發達國家。