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              真空磁控濺射鍍膜機原理推薦

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              發布時間:2020-07-21 15:00  







              直流磁控濺射技術

              為了解決陰極濺射的缺陷,人們在20世紀開發出了直流磁控濺射技術,它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點,因而獲得了迅速發展和廣泛應用。其原理是:在磁控濺射中,由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動,其運動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數,使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時,經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。無心插柳技術性的出現和運用早已親身經歷了很多環節,當初,僅僅簡易的二極、三極充放電無心插柳堆積。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜,而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕,導致靶材利用率低,一般僅為20%-30%。

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              我國真空鍍膜機行業發展現狀和前景分析

              隨著工業技術的不斷發展,對材料的綜合性能要求也不斷提高,單一材料性能已不能滿足某些特定環境下工作機械的性能要求。國內真空離子鍍膜機經過幾十年的發展,相對于國外高1端鍍膜設備而言,在自動化程度與技術上取得了一定的進步,但在鍍膜產品穩定性和準確性方面尚需提升,高1端設備仍依賴進口。做窗膜磁控濺射鍍膜的應多去看看玻璃行業的low-e鍍膜,多些交流。同時多弧離子鍍膜機低端產品市場存在供大于求的情況,價格競爭較為激烈。

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              磁控濺射

              磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使ya氣發生電離。

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