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              OPTM廠家歡迎來(lái)電

              發(fā)布時(shí)間:2020-11-28 09:56  

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              測(cè)量示例:

              SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測(cè)量

              半導(dǎo)體晶體管通過(guò)控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)發(fā)送信號(hào),但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過(guò)任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過(guò)CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制,有必要測(cè)量這些膜厚度。



               










              使用顯微光譜法在微小區(qū)域內(nèi)通過(guò)絕i對(duì)反射率進(jìn)行測(cè)量,可進(jìn)行高i精度膜厚度/光學(xué)常數(shù)分析。

              可通過(guò)非破壞性和非接觸方式測(cè)量涂膜的厚度,例如各種膜、晶片、光學(xué)材料和多層膜。 測(cè)量時(shí)間上,能達(dá)到1秒/點(diǎn)的高速測(cè)量,并且搭載了即使是初次使用的用戶,也可容易出分析光學(xué)常數(shù)的軟件


              為了確保膜厚儀的安全操作,必須注意以下幾點(diǎn):  ·始終按照操作手冊(cè)的要求操作膜厚儀;  ·不要損壞安全互鎖系統(tǒng)的任何元件,例如微動(dòng)開(kāi)關(guān)等等;  ·不要對(duì)膜厚儀做任何改變。


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