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晶振

參數a. 標稱頻率：在規定條件下，晶振的諧振中心頻率.

b. 調整頻差：在規定條件下，基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差：在規定條件下，在整個工作溫度范圍內，相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值.

d. 負載諧振電阻：晶振與外部電容相串聯，在負載諧振頻率時的電阻值.

e.負載電容： 是指與晶振一起決定負載諧振頻率的有效外界電容.常用標準值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。

工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。

負載電容與頻率牽引：在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0 CL）]。

負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。

濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。