和力達(dá)單光子檢測(cè)器價(jià)格信息推薦,和力達(dá)科技公司

單光子探測(cè)器的現(xiàn)狀及其發(fā)展

對(duì)于可見光探測(cè)，光電倍增管有很好的響應(yīng)度，暗電流也非常小，很早就用于單光子計(jì)數(shù)，現(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)比較成熟，市場(chǎng)上也有了不少類似的產(chǎn)品。然而隨著人們對(duì)紅.外光研究的不斷深入，特別是近年來(lái)量子通信技術(shù)、量子密碼術(shù)的研究不斷引起各國(guó)的重視，對(duì)紅外通信波段（850nm、1310nm和1550nm)單光子探測(cè)器的研究也就顯得尤為迫切。然而，在這個(gè)波段光電倍增管卻顯得無(wú)能為力，即使是很好的紅外光陰極-Si陰板，光譜響應(yīng)到1050nm就已經(jīng)截止了，僅這一點(diǎn)就排除了它在紅外通信波段的應(yīng)用。即便在850nm波段，考慮到光電倍增管工作電壓很高和使用維護(hù)的復(fù)雜程度，在實(shí)際應(yīng)用中人們還是選用Si-APD雪崩光電二極管。現(xiàn)在對(duì)Si的研究已經(jīng)趨于成熟，Si一APD 也已經(jīng)有了比較好的制造工藝。國(guó)外已經(jīng)有公司開發(fā)出了專門針對(duì)850nm單光子探測(cè)的商用Si-APD。而在1310nm和1550nm波段，Si-APD已經(jīng)不能用丁進(jìn)行單光子探測(cè)了，因此在這兩個(gè)波段一般選用InGaAs-APD，但由丁制造工藝的問(wèn)題，目前還沒有專門針對(duì)單光子探測(cè)的InGaAs-APD。國(guó)外對(duì)這兩個(gè)波段的單光子探測(cè)的報(bào)道，一般都是關(guān)于利用現(xiàn)有針對(duì)光纖通信的商用APD，通過(guò)優(yōu)化外圍驅(qū)動(dòng)電路，改善工作環(huán)境，使其達(dá)到單光子探測(cè)的目的。目前，國(guó)內(nèi)也已經(jīng)有了不少科研院所正在對(duì)這兩個(gè)波段的單光子探測(cè)器進(jìn)行研究，為實(shí)現(xiàn)量子密鑰分發(fā)技術(shù)（QKD）的實(shí)用化而做準(zhǔn)備。

單光子探測(cè)器

單光子探測(cè)器作為一種的單光子探測(cè)器，已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于量子信息、激光雷達(dá)、深空通信等領(lǐng)域，有力推動(dòng)了相關(guān)領(lǐng)域的科技發(fā)展。SNSPD器件主要有兩種光耦合方式，一種是垂直光耦合方式，光纖端面平行于SNSPD光敏面，光子垂直入射到納米線上，采用光學(xué)腔體或者反射鏡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)光耦合。

單光子探測(cè)將單光子激發(fā)的單個(gè)光電子信號(hào)放大，通過(guò)脈沖甄別和數(shù)字計(jì)數(shù)等技術(shù)識(shí)別提取極弱光電子信號(hào)，達(dá)到光電探測(cè)的超靈敏極限。率單光子測(cè)控由于其巨大科研價(jià)值和重要戰(zhàn)略地位已成為近年活躍的前沿領(lǐng)域之一。

單光子探測(cè)

單光子探測(cè)是一種極微弱光探測(cè)法，它所探測(cè)的光的光電流強(qiáng)度比光電檢測(cè)器本身在室溫下的熱噪聲水平還要低，用通常的直流檢測(cè)方法不能把這種湮沒在噪聲中的信號(hào)提取出來(lái)。

單光子探測(cè)是弱光測(cè)量技術(shù)的核心,在量子信息、物理、生物、化學(xué)和天文學(xué)領(lǐng)域具有關(guān)鍵性的作用。傳統(tǒng)以光電倍增管或雪崩二極管為基礎(chǔ)的單光子探測(cè)器的低靈敏度和高暗計(jì)數(shù)限制了信噪比的提高,低計(jì)數(shù)率限制了測(cè)量速度和動(dòng)態(tài)范圍。