PR1 2000A1光刻膠報(bào)價(jià)服務(wù)為先,賽米萊德

發(fā)布時(shí)間：2021-05-11 04:21

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PCB穩(wěn)定

PCB被譽(yù)為'電子產(chǎn)品'，廣泛應(yīng)用于各個(gè)電子終端。光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產(chǎn)品屬性：1FUTURRE光刻膠產(chǎn)品簡(jiǎn)要描述及優(yōu)勢(shì):1。2016年，全球PCB市場(chǎng)規(guī)模達(dá)542.1億美元。國(guó)外研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，PCB市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)3%，到2020年，PCB全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到610億美元；中國(guó)在2020年P(guān)CB產(chǎn)值有望達(dá)到311億美元，在2015-2020年期間，年復(fù)合增長(zhǎng)率略高于國(guó)際市場(chǎng)，為3.5%。得益于PCB行業(yè)發(fā)展剛需，我國(guó)PCB光刻膠需求空間巨大。

光刻膠去除

半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現(xiàn)有技術(shù)中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機(jī)內(nèi)，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應(yīng)，從而將光刻膠層去除。

而在一些半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時(shí)，考慮到器件性能要求，需要對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。從對(duì)準(zhǔn)信號(hào)上分，主要包括標(biāo)記的顯微圖像對(duì)準(zhǔn)、基于光強(qiáng)信息的對(duì)準(zhǔn)和基于相位信息對(duì)準(zhǔn)。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時(shí)，需要利用前面存儲(chǔ)單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時(shí)的阻擋層，在摻雜的過(guò)程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅(jiān)硬的外殼。

這層堅(jiān)硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留；方法二，先通過(guò)干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費(fèi)能源，而且降低了生產(chǎn)效率；同時(shí)，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時(shí)，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā)，光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大，導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路（IC）光刻膠、PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個(gè)大類。