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              綿陽(yáng)金屬標(biāo)牌腐蝕機(jī)技術(shù)生產(chǎn)基地「藍(lán)光同茂」

              發(fā)布時(shí)間:2021-05-30 08:10  

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              現(xiàn)在很多的領(lǐng)域使用蝕刻是比較多的,關(guān)于玻璃蝕刻以及金屬蝕刻是有一定的區(qū)別的,那么這兩種之間的具體區(qū)別是怎樣的呢,腐蝕機(jī)廠(chǎng)家給您做下簡(jiǎn)單的分析。    玻璃的蝕刻和金屬蝕刻不同,玻璃的蝕刻首先應(yīng)考慮防蝕層。防蝕層的傳統(tǒng)方法是采用石蠟在鍋內(nèi)熔化至沸,待冷卻到邊沿結(jié)皮后,用刷子趁熱把蠟薄薄的刷到玻璃上,然后再以手工刻畫(huà)蠟層,獲得圖文。顯然這種方式已不適應(yīng)生產(chǎn)的需要。    目前已普通采用抗蝕刻印料,通過(guò)絲網(wǎng)印刷悶在玻璃上直接獲得圖文的防蝕層。商品化的耐蝕印料為8200系列玻璃耐蝕油墨。該油墨有較好的抗蝕能力,外觀呈藍(lán)色黏稠狀,網(wǎng)印后室溫自干需24h,在75°c下干燥需2h。蝕刻機(jī)內(nèi)放入蝕刻液通過(guò)采用1:3的水溶液,也有采用40%的水溶液:98%=9:1的混合液。    有較強(qiáng)的腐蝕性,操作時(shí)應(yīng)特別注意環(huán)境的通風(fēng)與作業(yè)的防護(hù)。當(dāng)蝕刻機(jī)蝕刻到需求的深度時(shí),以清水沖洗即可獲得清晰透明的蝕刻圖文。




              離子植入:其是用來(lái)控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序,對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的控制,雜質(zhì)分布的再重整,及低溫下操作。    離子植入機(jī)主要的供廠(chǎng)商為AMAT,中國(guó)部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場(chǎng)預(yù)計(jì)今明兩年中國(guó)離子植入機(jī)需求可達(dá)5億美元與7億美元。    沉積:PVD沉積為一種物理制程,此技術(shù)一般使用等惰性氣體,藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后,將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來(lái),使被濺擊出來(lái)的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國(guó)相關(guān)設(shè)備制造廠(chǎng)有北方華創(chuàng)、沈陽(yáng)拓荊等。北方華創(chuàng)是中國(guó)薄膜沉積設(shè)備龍頭,目前技術(shù)已達(dá)到14nm。市場(chǎng)預(yù)計(jì)今明兩年中國(guó)薄膜沉積設(shè)備需求可達(dá)15億美元與20億美元。    測(cè)試:在晶圓完成制造之前,會(huì)有一道晶圓中測(cè)工序。在測(cè)試過(guò)程中,會(huì)檢測(cè)每一個(gè)芯片的電路功能。




              不銹鋼具有許多優(yōu)良的性能,如導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、強(qiáng)度、韌性、塑性、耐磨性、可鑄造性等。不銹鋼仍然是重要的結(jié)構(gòu)材料,廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、生活和科技工作的各個(gè)方面。不銹鋼制品在生產(chǎn)和使用過(guò)程中,遭受了各種損傷,如機(jī)械磨損、生物損傷、腐蝕等。   

               1、不銹鋼蝕刻的定義    不銹鋼蝕刻機(jī)是不銹鋼在環(huán)境的作用下所引起的破壞或變質(zhì)。不銹鋼的蝕刻還有其他的表述。所謂環(huán)境是指和不銹鋼接觸的物質(zhì)。例如自然存在的大氣、海水、淡水、土壤等,以及生產(chǎn)生活用的原材料和產(chǎn)品。由千這些物質(zhì)和不銹鋼發(fā)生化學(xué)作用或電化學(xué)作用引起不銹鋼的蝕刻,在許多功能情況下還同時(shí)存在機(jī)械力、射線(xiàn)、電流、生物等的作用。不銹鋼發(fā)生蝕刻的部分,由單質(zhì)變成化合物,至使生銹、開(kāi)裂、穿孔、變脆等。因此,在絕大多數(shù)的情況下,不銹鋼蝕刻的過(guò)程是冶金的逆過(guò)程。






              金屬在蝕刻機(jī)中的腐蝕過(guò)程,首先是在金屬零件表面發(fā)生晶粒的溶解作用,其次在晶界上也發(fā)生溶解作用,一般來(lái)講,晶界是以不同于晶粒的溶解速度發(fā)生溶解作用的。

              在大多數(shù)金屬和合金的多晶體結(jié)構(gòu)中,各個(gè)晶體幾乎都能采取原子晶格的任何取向。而晶粒的不同取向、晶粒密度的大小及雜質(zhì)都會(huì)和周?chē)哪阁w金屬形成微觀或超微觀原電池。所以,對(duì)于金屬在蝕刻液中來(lái)講,一方面這些原電池的存在,使金屬表面存在著電位差,電位正的地方得到暫時(shí)的保護(hù),電位負(fù)的地方在腐蝕機(jī)中被優(yōu)先蝕刻。另一方面在零件表面具有變化著的原子間距,而且原子間距較寬的地方溶解速度迅速,一直到顯示出不平整的表面為止。然后,溶解作用將以幾乎是恒定的速度切削緊密堆積的原子層,表面的幾何形狀也隨著晶粒的溶解而繼續(xù)不斷地變化。晶界上的蝕刻也將進(jìn)一步影響零件表面。在晶界上晶格的畸變和富集的雜質(zhì),常常導(dǎo)致更加快速的蝕刻作用,從而可能會(huì)使整個(gè)晶粒受到凹坑狀的蝕刻。晶粒尺寸越小,蝕刻后表面粗糙度越低,這也可以從實(shí)際生產(chǎn)中得到證實(shí)。在生產(chǎn)中往往都是材料越均勻致密其表面越平滑。