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發布時間:2021-09-01 09:41  
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在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上,電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此,在二者接觸后,電子會從半導體向金屬擴散,從而使金屬帶上負電荷,半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體,負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說,失去電子的施主雜質原子成為正離子,則分布在較大的厚度之中。
接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。
在頻率上,肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管;
在電流范圍上,肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管;
在耐壓限制范圍上,肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關二極管;
由表可見,硅高速開關二極管的trr雖極低,但平均整流電流很小,不能作大電流整流用。



ASEMI肖特基二極管與快恢復二極管有什么區別?
這是兩種工藝的芯片技術,勢壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復二極管更高,TRR參數只幾nS,基本忽略,正向導通電壓低,只零點幾伏(低自身功耗),但點壓不高,一般只能做到200V,現在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數需求可以詳詢ASEMI在線客服。