安徽鋰電氦檢專機維修品牌企業「多圖」

1945年以來，氦質譜檢漏儀的制造工藝已經有了很大的改進。1947年，檢漏儀的靈敏度均為10-4Pa.L/S；到1970年, 提高到可檢測10-7Pa.L/S的漏率；而今天已能能夠檢測到10-9Pa.L/s的漏率。與此同時, 檢漏儀的體積和質量也大大降低。90年代初，小的氦質譜檢漏儀的體積只有0.05m3重約38.5Kg。新型的氦質譜檢漏儀中已經沒有手動閥?，F已采用自控閥自動調節運轉時的誤差。同時用渦輪分子泵取代了油擴散泵, 以消除可能造成的油返流。計算機技術也在氦質譜檢漏儀中獲得應用。運轉、控制和輸出數據均由計算機自動操作完成。典型的示波器已由陰極射線管顯像屏所代替。整個操作只須按各種按鈕自動進行。博為研發生產的新型檢漏儀現在已經滲透到航空航天、新能源、電子器件、閥門、電力、制冷、家電等行業。氦質譜檢漏儀在未來的歲月中還將在許多的工業領域中得到新的應用

年泄漏率大的標準漏孔，要注意經常校準。如果發現異常，要用外置漏孔校準。注意使用的環境。標準漏孔的生產、檢測，都是在20-25℃的室溫下進行。尤其有些標準漏孔，對溫度特別敏感。溫度每變化1℃，標準漏孔的漏率就有3%以上的誤差。例如，夏天，室溫達到30℃，這種標準漏孔的漏率誤差增加30%。

高壓強下檢漏：檢漏口壓強可高達數百帕左右，對檢測大系統和有大漏的工件很有益。自動化程度高：自動校準氦峰，自動調節零點，量程自動轉換，自動數據處理，可外接打印機。整機由微機控制，一個按鈕即可完成一次的全檢漏過程。有些生產的檢漏儀，可采用干式泵，達到無油蒸氣的效果，為無油系統及芯片等半導體器件的檢漏，提供了有利條件。

氦質譜檢漏儀的結構和工作原理

氦質譜檢漏儀是180°磁偏轉型的質譜分析計，其基本原理是根據離子在磁場中運動時，不同質荷比的離子具有不同的偏轉半徑來實現不同種類離子的分離。檢漏儀主要由質譜室、真空系統及電氣控制部分組成。檢漏工作時先打開抽空閥前級泵對檢漏接口抽真空，當真空度P1 優于200 Pa 時，打開入口閥1、2，關閉抽空閥，氦氣將逆著分子泵的抽氣方向進入質譜室中被檢測出來，此時檢漏儀的小可檢漏率為10- 10 Pa·m3/s。前級泵繼續對檢漏接口抽真空，當P1降至20 Pa 時，入口閥2 關閉，入口閥3 打開，分子泵的高抽速用于抽空試件，檢漏儀的反應時間縮短，此時檢漏儀的小可檢漏率為10- 12 Pa·m3/s[1]。

氦質譜檢漏的具體方法——背壓法

背壓法是真空系統檢漏中的基礎方法之一，結合了壓力檢漏與真空檢漏兩者的特點。氦質譜檢漏中，背壓法的應用原理也是一樣的，今天就和華爾升智控一起看下氦質譜檢漏方法中的背壓法。

背壓氦質譜檢漏法是一種適用于容積較小被檢件的檢漏方法，例如半導體一類真空密封器件的無損檢漏。它的檢漏過程與其他背壓法一樣包括3個步驟：充壓、凈化、檢漏。

充壓過程中，被檢件在充有高壓氦氣的容器中存放一定時間，使氦氣經漏孔進入被檢件內部，并隨著時間的增長，其內部的充氣壓力及氦分壓會逐漸；進入凈化階段后，用干燥氮氣等沖刷，或通過靜置手段去除吸附在被檢件外表面的氦氣；將被檢件放入真空室并將真空室抽成真空狀態，利用壓差作用使被檢件內部的氦氣流出進入檢漏儀，檢漏儀輸出指示判定漏孔的存在及其漏率。

相信不少人可以看出背壓法不適合用于有大漏孔的被檢件。因為如果漏孔過大，在凈化階段，充入被檢件內部的氦氣會流失得很快，凈化的時間越長，流失得就越嚴重，會導致檢漏儀的輸出指示降低，造成漏孔漏率很小的假象，甚至檢測不出漏孔。因此在使用背壓氦質譜檢漏法時，除了避免用于大漏孔的被檢件檢漏外，還要注意適當充氣壓力、延長在高壓氦氣中的浸泡時間，同時縮短凈化時間，來提高檢漏靈敏度。