直流離子風(fēng)棒安裝簡(jiǎn)易「在線咨詢」

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所有的工作臺(tái)都需要有電擴(kuò)散面覆蓋，有一個(gè)1兆歐的電阻將臺(tái)面與地相接，這樣的臺(tái)面與地相接，這樣的臺(tái)面將所有置于其上的電荷不斷從臺(tái)面?zhèn)鞯降孛妫_(tái)面上有一個(gè)用于接手帶的扣環(huán)，手帶和臺(tái)面的接地點(diǎn)須是相同的，這樣才能做到以較短路徑接地。

工作臺(tái)表面必須每星期用清潔劑清洗。

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首先在器件和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，應(yīng)充分體現(xiàn)靜電防護(hù)的思想，在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護(hù)元件(ESD Protection Device)，盡量使用對(duì)靜電不敏感的器件以及對(duì)所使用的靜電放電敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供適當(dāng)?shù)妮斎氡Ｗo(hù)，使其更合理地避免ESD的傷害。MOS工藝是集成電路制造的主導(dǎo)技術(shù), 以金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管為基本構(gòu)造元件。由于MOS器件中場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間是一層亞微米級(jí)的絕緣柵氧化層，故其輸入阻抗通常大于1000M ，并且具有5pF左右的輸入電容，極易受到靜電的損害。因此，在MOS器件的輸入級(jí)中均設(shè)置了電阻-二極管防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流, 二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器件內(nèi)常見的防護(hù)元件還有：電容、雙極晶體管、可控硅整流器（SCR，見圖1）等, ESD發(fā)生時(shí)，它們?cè)谑鼙Ｗo(hù)器件之前迅速作出反應(yīng)，將ESD的能量吸收、釋放，使被保護(hù)器件所受沖擊大為降低。正常情況下，防護(hù)元件在其一次崩潰(First Breakdown)區(qū)內(nèi)工作，不會(huì)受到ESD損傷，一旦外加電壓或電流過(guò)量(Overstress)，進(jìn)入二次崩潰(Secondary Breakdown)區(qū)的防護(hù)元件將受到不可逆轉(zhuǎn)的損害，失去對(duì)器件的保護(hù)作用。另外，運(yùn)輸中應(yīng)保持中速行駛，以保證油罐車油罐內(nèi)油料相對(duì)平穩(wěn)，還應(yīng)盡量減少緊急制動(dòng)。

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潔凈技術(shù)是一門綜合技術(shù),其核心技術(shù)包括生產(chǎn)工藝技術(shù)及其工藝設(shè)計(jì)、空氣凈化、潔凈建筑以及各類產(chǎn)品生產(chǎn)所需的專業(yè)技術(shù)(如微電子產(chǎn)品生產(chǎn)所需的高純物質(zhì)——— 高純水、高純氣、高純化學(xué)品的相關(guān)專業(yè)技術(shù)等)。這些專業(yè)技術(shù)在潔凈室設(shè)計(jì)中都是不可缺少的,它們必須密切配合,圍繞著產(chǎn)品生產(chǎn)的需要,相互協(xié)調(diào)、統(tǒng)籌安排。潔凈廠房的設(shè)計(jì)和建造就是要在做好各相關(guān)專業(yè)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,做好各項(xiàng)安全設(shè)施——— 消防、防火、防爆、安全報(bào)警,確保潔凈室的安全運(yùn)行。與此同時(shí),它還要處理好電源、冷源、熱源等動(dòng)力供應(yīng),節(jié)約能源;安排好各類配管配線,確保各種流體介質(zhì)的輸送質(zhì)量,減少材料消耗,方便施工安裝和運(yùn)行維護(hù)。這主要因?yàn)闈穸容^高時(shí)，絕緣材料表面吸附了水分子(有時(shí)還有導(dǎo)電雜質(zhì))而降低了絕緣，便于靜電泄漏。