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發布時間：2021-01-07 09:14
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?單體3，4-乙撐二氧噻吩(EDOT)的合成情況
合成法產率低，成本高。改進或找到一種新的合成方法以提高EDOT的產率、降低生產成本是當前科研工作者的主要任務。筆者在合成EDOT的過程中對該方法進行了一些改進，如引入相轉移催化劑和沸石分子篩，提高了EDOT的產率。
前一制備單體EDOT的方法為傳統意義上的”五步合成法”，也是多年來報道過的唯y方法。該法從工業角度考慮有幾大缺點，比如需要強堿、高溫，存在致a物質(1、2一二xyw)等。2004年4月瑞典科學家Fredrik von Kieseritzky等提出一種x且有效制備EDOT的方法。但是其方便地添加粒子、更換電解液等，是最適用于大規模工業化的一種成膜方法。
該法通過2，3-二甲y基-1，3-丁二烯在正己烷溶劑中、于5~C的條件下與SC1：反應制成3，4-二甲y基s吩，然后用對甲bh酸作催化劑與乙二醇反應制得EDOT。該法原料價廉易得、合成簡單、條件溫和、產率高(60％)，非常適合于工業化生產。這一關鍵技術的突破將極大促進f吩類導電聚合物的發展。聚合物(PEDOT)的合成方法介紹自從shirakawaetal發現了聚乙Q具有高導電率后，導電聚合物這個領域已引起了科學家的廣泛興趣。
高導電性涂層材料
用作涂層材料的高導電性Clevios?可將表面電阻降至 100 歐姆/平方。一般來講，聚合物屬絕緣體。但是，有一類特殊聚合物，也即本征導電性聚合物，其導電性介于半導體和金屬之間（從10 - -4 到103 S/cm）。下一步，該團隊將探索更多基于此方法的PEDOT基復合材料的合成以及相關器件的制作。兼具金屬與聚合物的特性，給眾多應用領域帶來嶄新的發展機會，這在電子工業領域尤為明顯。
Clevios? PH 1000或其即用型配方Clevios? FE-T可用作高導電性涂層。這些材料不僅導電率高，而且具有非同一般的透明度。
結合諸如 DMSO 或乙二醇等導電增強劑使用Clevios?PH 1000時，導電率可達到 900-1000 S/cm（約 200 歐姆/平方）。即用型配方 CLEVIOS? FE-T材料屬于水基物質，含有可用于強制干燥的聚酯分散體。
各種涂層配方均在不同濕膜厚度和表面電阻率的條件下，針對諸如 A-PET、PET、聚碳酸酯、玻璃等具體基材經過優化處理。
可采用標準印刷方法，如狹縫涂布法、柔版印刷、絲網或者凹版印刷制作涂層。也可采用刷涂、噴涂、旋涂或輥涂法。
原位聚合法
原位聚合法是將單體或可溶性預聚體在基材表面聚合形成導電聚合物膜，主要包括直接聚合法、溶液聚合吸附法、化學氣相沉積法、氣相沉積聚合法、液相沉降聚合法。原位聚合法是一種極有前景的制作PEDOT對電極的方法，這種方法在制作其他PEDOT材料尤其是光學材料上得到了廣泛的應用，一些xPEDOT薄膜對電極研究中的制膜均采用該方法。聚合物和玻璃上的防靜電涂層：PEDOT/PSS應用于PET或其他基材上，可以提供防靜電和電荷轉移的性能。
近年來，由于成本低廉和性能優異，硅基雜化太陽電池引起了科學家們的極大研究興趣。然而，柔性硅基雜化太陽電池鮮有報道。難點在于單晶硅的柔性化。本研究中，我們采用簡單的制備工藝，構筑了柔性微米金字塔狀Si/PEDOT:PSS雜化太陽電池。通過四探針測試儀、掃描電鏡、太陽電池測試儀,分別測試了薄膜對電極的方塊電阻、表面形貌及其光電性能。相較于光電轉換效率為4%的柔性平板結構Si/PEDOT:PSS太陽電池，柔性微米金字塔狀太陽電池具有更高的光電轉化效率，為6.3%。
