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發(fā)布時(shí)間:2020-09-13 17:29  
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華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車,風(fēng)力發(fā)電,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。400~20000nCtd(on)、td(off)開(kāi)通/關(guān)斷延遲 10~1000ns 10~200±2%±2ns。
深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。西門子PLC邏輯控制15)數(shù)據(jù)采集與處理單元用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理,主要技術(shù)參數(shù)要求如下:。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步,電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換.任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命,同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù),延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。...等領(lǐng)域,使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下,對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。
1)可調(diào)充電電壓源
用來(lái)給電容器充電,實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓,滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流的測(cè)試需求。
?輸入電壓 380V±10%
?頻率 50HZ;
?輸出電壓 500~1500V可調(diào)(可多個(gè)電源組成)
?輸出電流 10A;
?電壓控制精度 1%
?電壓調(diào)整率 <0.1%;
?紋波電壓 <1%;
?工作溫度 室溫~40℃;
?保護(hù) 有過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)功能。

3)IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路 通態(tài)壓降測(cè)試電路 ?高壓充電電源:10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容:額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求:0.1~10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求:5~25V±1%±0.01V ?當(dāng)功率元件老化時(shí),元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大,因而使溫度升高,并使其效能降低。集電極電流測(cè)試設(shè)備精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A ?測(cè)試脈沖寬度:0.1~1ms可設(shè)定 4)柵極漏電流測(cè)試電路 柵極漏電流測(cè)試電路 ?可調(diào)電源:±1V~±40V±2%±0.1V; ?小電流測(cè)量設(shè)備精度:0.01~10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge:±1V~40V±1%±0.1V; ?脈沖時(shí)間:40~100ms可設(shè)定

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