大功率IGBT測試儀廠家規格尺寸,華科IGBT開關測試

華科智源IGBT電參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。400~20000nCtd(on)、td(off)開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的高新技術企業，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產，公司產品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數測試儀，MOS管動態參數測試儀，IGBT動態參數測試系統，IGBT靜態參數測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發電檢修用IGBT測試儀。西門子PLC邏輯控制15）數據采集與處理單元用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：。

現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換.任何產品都有設計使用壽命，同一種產品不同的使用環境和是否得到相應的維護，延長產品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。...等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。

1）可調充電電壓源

用來給電容器充電，實現連續可調的直流母線電壓，滿足動態測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調（可多個電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護 有過壓、過流、短路保護功能。

3）IGBT飽和壓降/FRD正向導通壓降測試電路 通態壓降測試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續可調 ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?當功率元件老化時，元件的內阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。集電極電流測試設備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測量設備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設定