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真空腔體

一般真空腔體內(nèi)部是規(guī)則的長方體,用一面加熱進行熱輻射的方式熱傳導不能合理涵蓋整個腔體的內(nèi)部空間,所以效果不是很理想,.經(jīng)過試驗論證,采取在真空腔體內(nèi)正上方、正下方、左側(cè)面、右側(cè)面各安裝一套加熱板加熱的方法,采用面對面熱輻射方式對腔體內(nèi)部進行加熱.

由于設備在真空狀態(tài)下采用了上,下,左,右四面四路加熱的方法,比單純一路加熱就要復雜多了,這也是溫度控制的難點.因此采用PID來進行溫度控制調(diào)節(jié),控溫熱偶設置在腔體內(nèi)部,這樣可以更好地控制真空腔體內(nèi)的溫度.

影響真空絕緣水平的主要因素

真空度

顯現(xiàn)了空隙擊穿電壓和氣體壓強之間的關系。由圖可以看到真空度高于10-2Pa時，擊穿電壓基本上不再跟著氣體壓力的下降而增大，因為氣體分子碰撞游離現(xiàn)象已不復興效果。當氣體壓力從10-2Pa逐步升高時(真空度下降)，擊穿強度逐步下降，以后又隨氣壓的而。從曲線上可以看出真空度高于10-2Pa時其耐壓強度基本上堅持不變。據(jù)國際半導體設備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產(chǎn)。這就標明，真空滅弧室的真空度在10-2Pa以上時完全可以滿足正常的運用需求。

半導體真空腔體制造技術 

真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學器件和材料制造中，是一種能適應高真空環(huán)境的特殊容器。真空腔體通常包括一系列部品——如鐘形罩、基板、傳動軸以及輔助井——這些構成一個完整的真空腔體。

復雜的真空腔體通常需要定制，即針對應用終端進行專門的設計和制作。某些常見的真空腔體已經(jīng)過預先設計，如手套箱、焊接室、脫氣箱、表面分析真空腔等。例如脫氣箱和手套箱一般采用低真空環(huán)境，可用于焊接，或用于塑料制品、復合材料層壓板、封裝組件等的脫氣。半導體真空腔體制造技術真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學器件和材料制造中，是一種能適應高真空環(huán)境的特殊容器。

真空設備包含很多組件，如真空腔體，真空密封傳導件，視口設置，真空傳感器，真空顯示表，沉積系統(tǒng)，蒸發(fā)源和蒸發(fā)材料，濺鍍靶材，等離子刻蝕設備，離子注入設備，真空爐，專用真空泵，法蘭，閥門和管件等。真空設備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產(chǎn)半導體/晶圓、光學器件以及特殊材料等。真空的應用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應用。