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發布時間:2021-08-10 22:19  
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之前是犯了這個很低級的錯誤,14.5V輸出用16V耐壓電容,量產有1%的電容失效不良。 20.電路設計,大電容或其它電容做成臥式時,底部如有跳線需放在負極電位,這樣跳線可以不用穿套管。 這個可以節省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基,晶元大小元件承認書或在BOM表要有描述,如67mil。理由:管控供應商送貨一至性,避免供應商偷工減料,影響產品效率 另人煩腦的就是供應商做手腳,導致一整批試產的產品過不了六級能效,原因就是肖特基內部晶元用小導致。 22.電路設計,Snubber 電容,因為有異音問題,優先使用Mylar電容 。
圖一b(230Vac) 圖一b可以看到,輸入電壓在230Vac測試時,65M和83M位置有點頂線(紅色線)圖一b-1(230Vac) 原邊吸收電容由471P加大到102P,65M位置壓下來一點,后面還是有點高,如圖一b-1所示; 圖一b-2(230Vac) 變壓器屏蔽改成線屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰減,如圖一b-2; 圖一b-3(115Vac) 115Vac輸入測試,后面150M又超了,發克!高壓好了低壓又不行,惱火啊!看來這招不行; 圖一b-4(115Vac) 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽(圈數由0.9Ts改成1.3Ts),效果不錯,如圖一b-4所示。 圖一b-5(230Vac) 115Vac輸入測試,測試通過。結論:一:變壓器出線需做到不交叉;二:Y電容回路走線越短越好先經過變壓器地再回到大電容地,不與其它信號線交叉;