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              發布時間:2021-10-20 03:40  

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              活性炭生產的主要原料是植物原料(木材、果核、果殼、棉稈、蔗糖渣等)、礦物原料(瀝青、石油瀝青等)。廢物(如塑料廢物、橡膠廢物和動物骨血等)、合成纖維材料(如聚等)合成纖維材料(如聚纖維、粘合纖維、瀝青基纖維等)。 根據生產中使用的原料,我國主要活性炭品種包括木活性炭,煤活性炭,殼活性炭和纖維狀活性炭。




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              第三代半導體材料,主要代表碳化硅和氮化相對于前兩代半導體材料而言,在高溫、高壓、高頻的工作環境下有著明顯的優勢。

              碳化硅早在1842年就被發現了,直到1955年才開發出生長碳化硅晶體材料的方法,1987年商業化生產的的碳化硅才進入市場,21世紀后碳化硅的商業應用才算鋪開。

              與硅相比,碳化硅具有更高的禁帶寬度,禁帶寬度越寬,臨界擊穿電壓越大,高電壓下可以減少所需器件數目。具有高飽和電子飄逸速度,制作的元件開關速度大約是硅的3-10倍,高壓條件下能高頻操作,所需的驅動功率小,電路能量損耗低。具有高熱導率,可減少所需的冷卻系統,也更適用于高功率場景下的使用,一般的硅半導體器件只能在100℃以下正常運行,器件雖然能在200℃以上工作,但是效率大大下降,而碳化硅的工作溫度可達600℃,具有很強的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小,工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高,體積減小。







              (一)碳化硅的合成和用途

              碳化硅的合成是在一種特殊的電阻爐中進行的,這個爐子實際上就只是一根石墨電阻發熱體,它是用石墨顆粒或碳粒堆積成柱狀而成的。這根發熱體放在中間,上述原料按硅石52%~54%,焦炭35%,木屑11%,工業鹽1.5%~4%的比例均勻混合,緊密地充填在石墨發熱體的四周。當通電加熱后,混合物就進行化學反應,生成碳化硅。其反應式為:

              SiO2 3C→SiC 2CO↑

              反應的開始溫度約在1400℃,產物為低溫型的β-SiC,基結晶非常細小,它可以穩定到2100℃,此后慢慢向高溫型的α-SiC轉化。α-SiC可以穩定到2400℃而不發生顯著的分解,至2600℃以上時升華分解,揮發出硅蒸氣,殘留下石墨。所以一般選擇反應的終溫度為1900~2200℃。反應合成的產物為塊狀結晶聚合體,需粉碎成不同粒度的顆粒或粉料,同時除去其中的雜質。








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