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影響光伏發電組件的因素

造成組件PID現象的原因主要有以下方面：是電池片原因：電池片方塊電阻的均勻性、減反射層的厚度和折射率等對PID性能都有著不同的影響。上述引起PID現象的原因中，由在光伏系統中的組件邊框與組件內部的電勢差而引起的組件PID現象被行業所公認，但在組件和電池片兩個方面組件產生PID現象的機理尚不明確，相應的進一步提升組件的抗PID性能的措施仍不清楚。

非晶硅太陽能板

非晶硅太陽能板的厚度不到lum,不足晶體硅太陽能板厚度的1/100,可節省供應緊張的硅材料，也大大降低了制造成本。又由于分解沉積的溫度比較低(200℃左右)，因此制作時能量消耗少，成本比較低，適于大規模生產,單片電池面積可以做得很大(如0.5mx1.0m),整齊美觀。在太陽光譜的可見光范圍內,非晶硅的吸收系數比晶體硅大近一個數量級。非晶硅太陽能板光譜響應的峰值與太陽光譜的峰值很接近。由于非晶硅材料的本征吸收系數很大,因此非晶硅太陽能板在弱光下的發電能力遠高于晶體硅太陽能板。在1980年非晶硅太陽能板實現商品化后，日本三洋電器公司利用其制成計算器電源，此后應用范圍逐漸從多種電子消費產品，如手表、計算器、玩具等擴展到戶用電源光伏電站等。非晶硅太陽能板成本低，便于大規模生產，易于實現與建筑一體化，有著巨大的市場潛力。

微晶硅(uc-Si)太陽能板 

為了獲得具有高穩定性的硅基薄膜太陽能板，近年來又出現了微晶薄膜硅太陽能板，微晶硅可以在接近室溫的低溫下制備，特別是使用大量氫氣稀釋的，可以生成晶粒尺寸10nm的微晶硅薄膜，薄膜厚度一一般在2 ～3um。到20世紀90年代中期,微晶硅電池的效率已經超過非晶硅，達到10%以上,而且沒有出現光致效應，但至今尚未達到大規模工業化生產的水平。現在已投人實際應用的是以非晶硅太陽電池為頂層、微晶硅太陽能板為底層的(sipe-S5)疊層太陽能板。目前微晶硅(B,=1eV)和非品硅(E.=1.7eV)的看層大電池轉換效率已經超過14，顯示出良好的應用前景。然而，由于微品硅薄限中合有大量的非品鞋所以不能黎單品硅那樣直接形成PAN結面必須微成PIN結因此，如極放的來被缺街很低的本征法以及在溫度比較低的藝條件下制備非品社合很少的微品法集取，是今后進一步提高微品硅太陽電池轉換效率的關鍵。