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發布時間:2021-10-25 02:57  
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對于熱敏電阻效應,也就是電阻值階躍的原因,在于材料組織是由許多小的微晶構成的,在晶粒的界面上,即所謂的晶粒邊界(晶界)上形成勢壘,阻礙電子越界進入到相鄰區域中去,因此而產生高的電阻.這種效應在溫度低時被抵消:在晶界上高的介電常數和自發的極化強度在低溫時阻礙了勢壘的形成并使電子可以自由地流動.而這種效應在高溫時,介電常數和極化強度大幅度地降低,導致勢壘及電阻大幅度地,呈現出強烈的效應.
熱敏電阻的命名標準和含義:
M代表敏感電阻器,F代表負溫度系數熱敏電阻器,接在后面的數字就是具體的用途或者特征。例如時恒電子的MF72代表功率型NTC熱敏電阻器,MF52代表小黑頭測溫型NTC熱敏電阻器,MF73代表大功率NTC熱敏電阻器,MF58代表玻殼測溫型NTC熱敏電阻器,MF51代表單端玻璃封裝NTC熱敏電阻器等。
熱敏電阻的基本特性是它的溫度特性,許多材料的電阻隨溫度的變化而發生變化,純金屬和許多合金的電阻隨溫度增加而增加,它們具有正的電阻溫度系數。像炭、玻璃硅和鍺等材料的電阻隨溫度的增加而減小,具有負的電阻溫度系數。
在半導體中原子核對價電子的約束力要比金屬中大,因載流子數少,故半導體的電阻率較大而純金屬的電阻率較小。