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LEB前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒有效果了還是會(huì)誤判；如果設(shè)長(zhǎng)了，真正的過流來了起不到保護(hù)的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds會(huì)比滿載時(shí)還高，超過MOSFET耐壓就可能造成炸機(jī)。 經(jīng)驗(yàn)值1nS的Delay約等于1K對(duì)100PF，也等于100R對(duì)102PF 16.畫小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實(shí)物如圖： 實(shí)際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會(huì)有浮高現(xiàn)象 17.電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因?yàn)?N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī) 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。


有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對(duì)輻射影響也是很大的。 一個(gè)慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個(gè)個(gè)元件對(duì)換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對(duì)不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


47.PCB的熱點(diǎn)區(qū)域一定要遠(yuǎn)離輸入、輸出端子，防止噪聲源串到線上導(dǎo)致EMI變差，在不得已而為之時(shí)，可增加地線或其它屏蔽方式進(jìn)行隔離，如下圖增加了一條地線進(jìn)行有效隔離。 需注意這條地線的安全距離。 48.驅(qū)動(dòng)電阻盡量靠近MOS、電流采樣的電阻盡量靠近芯片，避免產(chǎn)生其它看不到的后果。PCB布局鐵律 49.分享一個(gè)輻射整改案例，一個(gè)長(zhǎng)條形散熱片有2個(gè)腳，2只腳都接地，輻射硬是整不過，后來把其中一只腳懸空，輻射頻段變好。后面分析原因是2只腳接地會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)回路。這個(gè)整改花了很多錢 50.配有風(fēng)扇的電源，PCB布局要考慮風(fēng)路。一定要讓風(fēng)跑出去 51.棒型電感兩條腿之間，切記，切記，切記，禁止走弱信號(hào)走線，否則發(fā)生的意外你都找不到原因。