氧化鎂晶體襯底基片-服務(wù)優(yōu)先 合肥合瑞達(dá)

氧化鎂(MgO)單晶的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃,是無殘留氣孔的高致密性材料。因其光透過率、折射率、熱導(dǎo)率、電絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度等方面性能優(yōu)異,具有廣泛的用途:(1)可作為光學(xué)透明材料。由于從紫外到紅外的寬范圍內(nèi),光透過率Τ≥80％,可用于普通照相、紫外照相、特殊光學(xué)系統(tǒng)、光纖以及特殊機(jī)械光學(xué)裝置;(2)可作為耐高溫、高壓窗口材料。

氧化鎂(MgO)單晶基片是高頻微波器件高溫超導(dǎo)薄膜zui常選用的主要襯底材料之一， 也是當(dāng)前可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重要的高溫超導(dǎo)薄膜基片。目前生產(chǎn)氧化鎂(MgO)晶體的主流技術(shù)是電弧爐熔融法。主要通過高溫電弧作熱源在原料中心形成熔體，在加熱過程停止后熔體經(jīng)自然冷卻得到晶體。具有巖鹽晶體結(jié)構(gòu)的氧化鎂(MgO)是一種寬禁帶氧化物絕緣體，帶隙Eg為7.8 eV。優(yōu)良的絕緣性、熱傳導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)使得MgO具有十分廣泛的應(yīng)用。

氧化鎂（MgO）是離子化合物，同樣也是離子晶體，雖然一般來說，原子晶體的熔點(diǎn)的確比離子晶體高，但是這并不絕1對(duì)，鍵能較低的原子晶體熔點(diǎn)明顯比鍵能高的離子晶體低。因?yàn)檠趸V是由氧離子和鎂離子通過離子鍵結(jié)合成的.。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無線通訊的發(fā)展，單晶氧化鎂的需要量越來越大，發(fā)展前景非常廣闊。在各領(lǐng)域應(yīng)用中，氧化鎂單晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之間，甚至更大。

氧化鎂單晶產(chǎn)品說明及其應(yīng)用

長(zhǎng)期以來，氧化鎂單晶以其在電學(xué)、磁學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)上的優(yōu)異特性以及良好的抗腐蝕和絕緣性，被廣泛應(yīng)用于制作鐵電、磁性、高溫高精密光學(xué)薄膜材料，從而在航空、航天、激光、治金、核工業(yè)和傳感器等眾多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

自高溫超導(dǎo)重大發(fā)現(xiàn)三十多年來，特別是近幾年，氧化鎂單晶由于其在微波波段小的介電常數(shù)以及介電損耗，從而在高溫超導(dǎo)技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮了越來越大的作用。在氧化鎂單晶基片上制造的高溫超導(dǎo)薄膜，其物理性能穩(wěn)定、質(zhì)量?jī)?yōu)越，在眾多高溫超導(dǎo)基片中，大有成為不可取代的選擇。