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              發布時間:2020-12-17 08:46  

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              等離子刻蝕機

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              等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是干法刻蝕中常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發生反應,反應的揮發性副產物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。近期的發展是在反應室的內部安裝成擱架形式,這種設計的是富有彈性的,用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),直接等離子體(direction plasma)。








              感應耦合等離子體刻蝕機的結構二

              刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構,它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有:上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。

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              等離子刻蝕工藝

              高密度等離子體源在刻蝕工藝上具有許多優勢,例如,可以更準確地控制工作尺寸,刻蝕速率更高,更好的材料選擇性。高密度等離子體源可以在低壓下工作,從而減弱鞘層振蕩現象。使用高密度等離子體源刻蝕晶片時,為了使能量和離子通量彼此獨立,需要采用獨立射頻源對晶圓施加偏壓。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級,在離子進入負鞘層后,其能量經加速將達到上百電子伏特,并具有高度指向性,從而賦予離子刻蝕的各向異性。

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