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發布時間:2021-09-10 08:54  
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多晶硅,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。利用價值:從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)
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多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別,但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。

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硅化鎂法是用Mg2Si與NH4Cl在液氨中反應生成硅烷。該法由于原料消耗量大,成本高,危險性大,而沒有推廣,現在只有日本Komatsu使用此法。現代硅烷的制備采用歧化法,即以冶金級硅與SiCl4為原料合成硅烷,首先用SiCl4、Si和H2反應生成SiHCl3 ,然后SiHCl3 歧化反應生成SiH2Cl2,后由SiH2Cl2 進行催化歧化反應生成SiH4 ,
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冶金法冶金法制備太陽能級多晶硅(Solar Grade Silicon簡稱SOG—Si),是指以冶金級硅(metallurgicalGrade Silicon簡稱MG-Si)為原料(98.5%~99.5%)。經過冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產太陽能電池的多晶硅原料的方法。冶金法在為太陽能光伏發電產業服務上,存在成本低、能耗低、產出率高、投資門檻低等優勢,通過發展新一代載能束高真空冶金技術,可使純度達到6N以上,并在若干年內逐步發展成為太陽能級多晶硅的主流制備技術。
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