封裝用IGBT測試儀現貨供應產品介紹「華科智源」

大功率半導體器件為何有老化的問題？

任何產品都有設計使用壽命，同一種產品不同的使用環境和是否得到相應的維護，延長產品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。功率元件由于經常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經常在其安全工作區的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。

?航空、電子信息等領域——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

?機車、汽車、船舶控制系統生產廠——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對

?現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

?水力、電力控制系統生產廠——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新

?型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析，

?以確保出廠產品的穩定性、可靠性。

?優勢行業：電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。操作系統、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

5 包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產生的費用。出廠調試結束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應中國境內公路、鐵路運輸，并兼顧設備在現場保存時間的要求。包裝與運輸由專人負責，每個部分隨機文件包括發貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。1~1ms可設定 4）柵極漏電流測試電路柵極漏電流測試電路 。