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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜：

化學氣相沉積法在半導體工業中有著比較廣泛的應用。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。在當代，微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片。此外，也有一些在未來有可能發展成開關以及存儲記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。

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等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態物質激發及化學反應等。激光干涉：激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。主要工藝參數有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

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等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。到達襯底并被吸附的化學活性物（主要是基團）的化學性質都很活潑，由它們之間的相互反應從而形成薄膜。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。