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什么是光刻掩模板

　在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，稱為光刻掩模版。

　　半導(dǎo)體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻工藝，在半導(dǎo)體晶體表面的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套（幾塊多至十幾塊）相互間能套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光復(fù)印掩蔽模版。

尺寸漲縮原因分析

膠片在光繪前沒有經(jīng)過預(yù)置

由于膠片制造時(shí)無法預(yù)先控制膠片中的濕度與每個(gè)生產(chǎn)車間的濕度一致，因此使用之前應(yīng)先使其與工作環(huán)境達(dá)到平衡的狀況。建議預(yù)置時(shí)間為12小時(shí)，預(yù)置時(shí)必須打開膠片的內(nèi)包裝，使其與外界的空氣充分接觸。

石英巖是一種主要由石英組成的變質(zhì)巖（石英含量大于85%），是石英砂巖及硅質(zhì)巖經(jīng)變質(zhì)作用形成。一般是由石英砂巖或其他硅質(zhì)巖石經(jīng)過區(qū)域變質(zhì)作用，重結(jié)晶而形成的。也可能是在巖漿附近的硅質(zhì)巖石經(jīng)過熱接觸變質(zhì)作用而形成石英巖。