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              發布時間:2021-01-11 14:00  

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              鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響

              靶基距:靶基距是影響成膜速率的重要因素之一,隨著靶基距增加,被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數增多,同時等離子體密度也減弱,動能減少,沉積速率降低,但膜層外觀較好。靶基距太小,沉積太快,工件溫升大,膜層外觀差。

              靶功率;磁控濺射本身粒子初始動能比較小,離化率低,電源功率越大,濺射出的粒子的初始能量越大,靶材濺射量也越大,沉積速率越快,膜層容易上厚度和硬度,同時工件溫升也大,過高的功率會使沉積速率太快,粒子來不及表面遷移和擴散,易形成陰影效應,膜層會比較疏松,應力較大。包括歐姆接觸的A1、Cu、Au、W、Ti等金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴散勢壘層的TiN、Ta205、Ti0、A1203、Zr02、A1N等介質薄膜沉積。



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              有機鍍膜與無機鍍膜的根本區別

              真正的玻璃鍍膜應為純無機質成分,成膜后不應含有任何j基團(CH3)。利用紅外線光譜吸收分析法,可以了解各種鍍膜原料的內部化學成分,這是區別真假無機質鍍膜產品的重要科學依據。


              常見的濺射有兩種:不反應濺射和反應濺射。不反應濺射指濺射氣體和鍍膜材料之間不發生化學反應。因此不反應濺射所使用的氣體為惰性氣體,一般使用y氣(Ar),稱為工作氣體。不反應濺射一般都用在鍍金屬膜層上,導電性能越好的材料,濺射速率越高。



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