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發布時間：2020-12-30 07:41
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電池片的檢驗
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電池片的檢測
一、檢測的標準
1．高于800LX的直射下，間距電池片30-50cm的間距，看著方位垂直平分電池片表層觀查。
二、檢測的方式 1、取放電池片時要輕拿小心輕放，125的電池片維持在1-2的檢驗速率，150及156的電池片要一整片一整片的開展查驗。
三、檢驗新項目1．色調偏色2．絨面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂縫及破孔5．彎折的6．崩邊、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．鋁珠、鋁苞10．包裝印刷圖型11．跑模12．尺寸
電池片的制作工藝
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影響因素
1 ．頻率
射頻 PECVD 系統大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩定性。
2 ．射頻功率
增加 RF 功率通常會改善 SiN 膜的質量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時器件會造成嚴重的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。
5 ．反應氣體濃度
SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數。
電池片絲網印刷技術
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電池片絲網印刷技術
1 引言
隨著全球能源的日趨緊張，太陽能以無污染、市場空間大等獨有的優勢受到世界各國的廣泛重視，國際上眾多大公司投入太陽能電池研發和生產行業。從太陽能獲得電力，需通過太陽能電池進行光電變換來實現，硅太陽能電池是一種有效地吸收太陽能輻射并使之轉化為電能的半導體電子器件，廣泛應用于各種照明及發電系統中。
2 硅太陽能電池的生產工序
太陽能電池原理主要是以半導體材料硅為基體，利用擴散工藝在硅晶體中摻入雜質：當摻入硼、磷等雜質時，硅晶體中就會存在著一個空穴，形成 n 型半導體；同樣，摻入磷原子以后，硅晶體中就會有一個電子，形成 p 型半導體， p 型半導體與 n 型半導體結合在一起形成 pn 結，當太陽光照射硅晶體后， pn 結中 n 型半導體的空穴往 p 型區移動，而 p 型區中的電子往 n 型區移動，從而形成從 n 型區到 p 型區的電流，在 pn 結中形成電勢差，這就形成了電源。
硅太陽能電池生產的主要工序，從中可以看出絲網印刷是生產太陽能電池的重要工序，其印刷質量（厚度，寬度，膜厚一致性）影響電池片的技術指標。
