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化學氣相沉積（Chemical Vapor Deition,簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機工藝在平板顯現器中的運用一切各類平板顯現器都要用到各品種型的薄膜，并且簡直一切類型的平板顯現器材都需求運用ITO膜，以滿意通明電器的請求。能夠毫不夸張的說：沒有薄膜技能就沒有平板顯現器材。

金屬鈀及其合金具有很強的氫氣吸附能力和特殊的選擇滲透能力, 是理想的氫氣儲存和凈化材料 。目前, 通常使用整體鈀合金或鍍鈀等方法制造氫凈化設備。近年來 ,有研究者嘗試采用化學氣相沉積法制備鈀的薄膜或薄層材料 , 他們選用分解溫度很低的金屬有機化合物作為沉積鈀的源物質, 他們是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化學氣相沉積法可以制備高純度的鈀薄膜 。

當考慮電子束蒸發技術時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標充當包含待沉積材料的蒸發源，該材料用作陰極。請注意，系統會根據電子束功率蒸發任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發生沖突，該粒子插入反應器中，旨在通過產生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應器的中間位置更強。連續壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力