CCD傳感器報價貨源充足「多圖」

雖然他們的術語確實有所不同，但許多IC制造商要么調(diào)整現(xiàn)有的產(chǎn)品線，要么創(chuàng)造全新的產(chǎn)品來解決傳感器融合任務。該處理由專用控制器芯片完成，該芯片可以被識別為MCU，傳感器集線器或傳感器融合處理器。我們已經(jīng)看到這種技術應用于智能手機，活動監(jiān)視器和其他設備的消費市場。技術的融合幸運的是，正如他們在電子產(chǎn)品的其他領域所做的那樣，許多IC制造商已經(jīng)承擔了繁重工作的任務。借助現(xiàn)成的傳感器融合和傳感器集線器芯片，現(xiàn)在可以有效地連接各種數(shù)字傳感器以及其他路徑。創(chuàng)建自己的算法的負擔已經(jīng)消除。

CCD是電荷耦合器件(charge-coupled device), 它使用一種高感光度的半導體材料（p-Si）制成，能把光轉(zhuǎn)變成電荷。在一個用于感光的CCD中，有一個光敏區(qū)域（硅的外延層），和一個由移位寄存器制成的傳感區(qū)域。圖像通過透鏡投影在一列電容上（光敏區(qū)域），導致每一個電容都積累一定的電荷，而電荷的數(shù)量則正比于該處的入射光強。在柵電極（G）中，施加正電壓會產(chǎn)生勢阱（黃），并把電荷包（電子，藍）收集于其中。

CCD是由許多個光敏像元按一定規(guī)律排列組成的。每個像元就是一個MOS電容器(大多為光敏二極管)，它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸鍍一金屬層(多晶硅)，在襯底和金屬電極間加上1個偏置電壓，就構(gòu)成1個MOS電容器。當有1束光線投射到MOS電容器上時，光子穿過透明電極及氧化層，進入P型Si襯底，襯底中處于價帶的電子將吸收光子的能量而躍入導帶。光子進入襯底時產(chǎn)生的電子躍遷形成電子－空穴對，電子－空穴對在外加電場的作用下，分別向電極的兩端移動，這就是信號電荷。這些信號電荷儲存在由電極形成的“勢阱”中。

暗輸出特性：暗輸出又稱無照輸出，系指無光像信號照射時，傳感器仍有微小輸出的特性，輸出來源于暗〔無照)電流。單位輻射照度產(chǎn)生的輸出光電流表示固態(tài)圖象傳感器的靈敏度，它主要與固態(tài)圖像傳感器的像元大小有關。飽和曝光量以上的過亮光像會在象素內(nèi)產(chǎn)生與積蓄起過飽和信號電荷，這時，過飽和電荷便會從一個像素的勢阱經(jīng)過襯底擴散到相鄰像素的勢阱。這樣，再生圖像上不應該呈現(xiàn)某種亮度的地方反而呈現(xiàn)出亮度，這種情況稱為彌散現(xiàn)象。