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LED大功率芯片一般指多大面積的芯片?

用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。

由于量i子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，led模組，要求芯片有較大的面積。

制造GaN外延材料的芯片工藝和加工設備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?為什么?

普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導體材料，一般都可以做成N型襯底。

采用濕法工藝進行光刻，較為后用金剛砂輪刀片切割成芯片。

GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底，由于藍寶石襯底是絕緣的，uv led模組多少錢，所以不能作為LED的一個極，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時制作P/N兩個電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。

它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復雜。

外延片與晶圓的關系

分子束外延法屬于物理氣相沉積PVD里的真空蒸發法的一種，廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。

芯片制造全部工藝的成品叫做晶圓wafer，前道工藝流程中的一個環節是薄膜沉積，也就是真空鍍膜，分子束外延就是薄膜沉積的一種方法，在裸硅片（或者其他襯底）上利用分子束外延法鍍上多層薄膜，形成該芯片所需要的結構，用分子束外延法制作出來的已經完成鍍膜的半成品就是外延片，外延片再經過光刻、刻蝕、清洗、離子注入等工藝環節，再經過打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢測等后道工藝形成的成品就是晶圓wafer。

LED模組安裝注意事項：

1.沒有經過防水處理的LED模組，uv led模組廠家，安裝在吸塑字或者箱體時，led模組廠家，應預防雨水進入。

2.LED模組的間距可根據亮度和模組大小等實際情況進行調整，每平方的數量一般在50-100組之間。在排布LED模組的時候，應注意發光的均勻和亮度需求;模組與字體邊的距離一般為2-5公分，模組與模組間的垂直和水平距離建議為2-6CM。LED模組安裝時不可推，擠壓模組上的器件，以免造成器件的破壞，里面的連接線應該玻璃膠固定在地板上，以免遮光。

3.LED模組與發光體表面的距離要控制好，這樣才能保證光的均勻性和亮度，所以燈箱的厚度也很重要。

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