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發布時間：2021-08-11 20:20
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光刻膠的分類
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硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：（1）將掩模版圖形轉移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。
分類
光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結果示意圖 [2] 。
光刻膠
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1959 年被發明以來就成為半導體工業核心的工藝材料之一。隨后光刻膠被改進運用到印制電路板的制造工藝,成為 PCB 生產的重要材料。
二十世紀 90 年代,光刻膠又被運用到平板顯示的加工制作,對平板顯示面板的大尺寸化、高精細化、彩色化起到了重要的推動作用。
在半導體制造業從微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級水平的過程中,光刻膠也起著舉足輕重的作用。
總結來說,光刻膠產品種類多、專用性強,需要長期技術積累,對企業研發人員素質、行業經驗、技術儲備等都具有極高要求,企業需要具備光化學、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術,具有極高的技術壁壘。
光刻膠的概述
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。
光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。
負膠在光刻工藝上應用早，其工藝成本低、產量高，但由于它吸收顯影液后會膨脹，導致其分辨率（即光刻工藝中所能形成圖形）不如正膠，因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技術，主要使用正膠作為光刻膠。
光刻膠的成分
樹脂:光刻樹脂是一種惰性的聚合物基質 ,是用來將其他材料聚合在一-起的粘合劑。 光刻膠的粘附性、膠膜厚度等都是樹脂給的。
感光劑:感光劑是光刻膠的核心部分，他對光形式的輻射能,特別在紫外區會發生反應。曝光時間、光源所發射光線的強，度都根據感光劑的特性選擇決定的。
溶劑:光刻膠中容量較大的成分，感光劑和添加劑都是固體物質，為了方便均勻的涂覆,要將他們加入溶劑進行溶解,形成液態物質，并且使之具有良好的流動性，可以通過選擇方式涂布在waf er表面。
添加劑:用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發生反射而添加染色劑。
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