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發布時間：2021-08-31 13:06
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下游發展趨勢
光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。顯示器，OLEDs，波導(waveguides)，VCSELS，成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加
光刻膠市場
據統計資料顯示，2017年中國光刻膠行業產量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。
國內企業的光刻膠產品目前還主要用于PCB領域，代表企業有晶瑞股份、科華微電子。
在半導體應用領域，隨著汽車電子、物聯網等發展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產企業。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。預計G線正膠今后將占據50%以上市場份額，I線正膠將占據40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。
光刻膠國內研發現狀
“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。目前，整個產業是中間加工環節強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。
光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展
NR9-1000py
問題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據我所知，Futurrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。
2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？
A 美國光刻膠，Futurrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應用產品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請問，那位知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國Futurrex
生產的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
