NR9 1500P光刻膠公司廠家報價「賽米萊德」

負性光刻膠簡介

感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限制分辨率（見感光材料）的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規模集成電路工藝的要求，必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。

光刻膠分類

1、負性光刻膠

主要有聚酸系(聚酮膠)和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表，后者以OMR系列為代表。

2、正性光刻膠

主要以重氮醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基本材料。的有AZ-1350系列。正膠的主要優點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

3、負性電子束光刻膠

為含有環氧基、乙烯基或環硫化物的聚合物。 的是COP膠，典型特性:靈敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速電壓10KV時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。限制分辨率

的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。

4、正性電子束光刻膠

主要為甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。的是PMMA膠，典型特性:靈敏度40~ 80μC/cm^2 (加速電壓20KV時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。

PMMA膠的主要優點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低，此外在高溫下易流動，耐干法刻蝕性差。

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光刻膠市場空間與半導體的分不開。2012-2018年全球半導體市場規模復合增速8.23%，在全球半導體行業的快速發展下，全球半導體光刻膠市場持續增長。

而國內市場，因全球半導體、液晶面板以及消費電子等產業向國內轉移，對光刻膠需求量迅速增量。

但是遠遠不夠，從全球光刻膠的市場競爭格局來看，光刻膠市場主要由日韓企業主導，國內企業市場份額集中在低端的PCB光刻膠上，高技術壁壘的LCD 和半導體光刻膠主要依賴進口。根據某些數據顯示，國內光刻膠產值當中，PCB光刻膠的占比高達95%，半導體光刻膠和LCD光刻膠產值占比都僅有2%。

由上分析可知，我國目前在光刻膠領域急需技術突破的。

光刻膠分類概述

賽米萊德專業生產、銷售光刻膠，以下信息由賽米萊德為您提供。

基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。

①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，然后生成聚合物，具有形成正像的特點。

②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。

③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。