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發(fā)布時間：2021-10-16 04:16
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光刻膠簡介
賽米萊德——專業(yè)光刻膠供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?
光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。 [1] 光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。
負性光刻膠原理
又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
原理
光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵態(tài)時引起的。對于有機物，基態(tài)與激勵態(tài)的能量差為3~6eV，相當(dāng)于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵態(tài)。化學(xué)鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發(fā)生化學(xué)變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后，因與物質(zhì)具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中，因此生成激勵狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。
光刻膠介紹
光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。
從技術(shù)水平來看，在PCB領(lǐng)域，國產(chǎn)光刻膠具備了一定的技術(shù)和量產(chǎn)能力，已經(jīng)實現(xiàn)對主流廠商大批量供貨。
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光刻膠的參數(shù)介紹
1．對比度（Contrast）
對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。
2．粘滯性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。
3．抗蝕性（Anti-etching）
光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
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